技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES上篇介紹了俄歇電子能譜（AES）的定性分析、定量分析及化學(xué)態(tài)分析功能，本篇我們將繼續(xù)分享更多AES高級功能，其中包括表面形貌觀察、深度分析及顯微分析。表面形貌觀察AES作為一種先進的電子束探針表征技術(shù)，在納米級乃至更高精度的空間分辨要求上展現(xiàn)出了強大的優(yōu)勢，因此非常適用于納米尺度材料的表征。與掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）等依賴電子束探針的技術(shù)相似，AES在電子束聚焦能力上表現(xiàn)出色，尤其是場發(fā)射電子束技術(shù)的融入，極大地提升了其空間分辨能力。當前PHI710...
順磁共振譜儀(EPR)是一種基于電子自旋共振現(xiàn)象，用于研究含有未成對電子的順磁物質(zhì)的儀器。其工作原理和優(yōu)勢如下：工作原理1.建立磁場：首先在儀器中建立一個強磁場，通常使用超導(dǎo)磁體來產(chǎn)生很高的磁場。2.激發(fā)電磁輻射：使用微波源產(chǎn)生特定頻率的微波輻射，這個頻率通常是與順磁物質(zhì)的共振頻率相匹配的。微波輻射被引導(dǎo)到樣品中，并與樣品中的未成對電子進行相互作用。3.收集信號：通過所謂的共振回路(resonator)收集樣品中電子的共振信號。共振回路是通過感應(yīng)線圈和諧振電路組成的。4.分析...
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，質(zhì)量控制是確保芯片性能和可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著技術(shù)的發(fā)展，晶圓片在線面掃檢測儀成為了這一過程中不可或缺的工具。晶圓片在線面掃檢測儀是一種高精度的檢測系統(tǒng)，專門用于監(jiān)測晶圓片表面的微小缺陷。這些缺陷可能包括顆粒污染、劃痕或圖案不完整等，它們都可能影響最終產(chǎn)品的性能。通過實時監(jiān)測，該設(shè)備能夠及時發(fā)現(xiàn)問題并反饋給生產(chǎn)線，從而避免不良品的產(chǎn)生。該檢測儀基于光學(xué)掃描技術(shù)。一束激光或強光被引導(dǎo)至晶圓片表面，并通過高分辨率的攝像頭捕捉反射回來的光線。如果晶圓片表面存在任何...
氬離子設(shè)備對于表面分析，樣品表面極易被污染。為了清潔被污染的固體表面,在能譜分析中,常常利用離子設(shè)備發(fā)出的離子束對樣品表面進行濺射剝離,以清潔表面。利用離子設(shè)備發(fā)出的離子束定量地剝離一定厚度的表面層,然后再分析表面成分,這樣就可以獲得元素成分沿深度方向的分布圖。同時，離子設(shè)備也兼具中和樣品表面荷電的作用。一、氬離子設(shè)備原理圖▲圖1氬離子設(shè)備原理圖二、氬離子設(shè)備實圖▲圖2氬離子設(shè)備圖三、氬離子設(shè)備主要作用清潔(樣品表面被污染)清潔被污染的樣品表面,利用離子設(shè)備發(fā)出的離子束對樣品...
在現(xiàn)代科學(xué)研究和工業(yè)檢測領(lǐng)域，高精度成像技術(shù)的重要性日益凸顯。X射線三維顯微鏡作為一種先進的無損檢測工具，以其獨特的穿透能力和高分辨率成像特性，成為了材料科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)以及工業(yè)質(zhì)量控制等多個領(lǐng)域的研究熱點。X射線三維顯微鏡基于X射線與物質(zhì)相互作用時的吸收差異。當X射線穿過物體時，不同密度和組成的材料會對X射線產(chǎn)生不同程度的衰減，這種衰減信息被探測器捕捉并轉(zhuǎn)化為電信號，最終通過計算機處理生成三維圖像。與傳統(tǒng)的二維X射線成像相比，三維顯微鏡能夠提供更為豐富的空間結(jié)構(gòu)信息，使得研究...
隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，高分辨顯微CT（ComputedTomography）檢測技術(shù)作為一種非破壞性的三維成像技術(shù)，在生命科學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力和價值。其不僅能夠?qū)崿F(xiàn)生物樣本的精確成像，還能提供豐富的生物學(xué)信息，為生命科學(xué)研究提供了強有力的技術(shù)支持。本文旨在探討高分辨顯微CT檢測技術(shù)在生命科學(xué)領(lǐng)域的前沿應(yīng)用，并分析其在推動科學(xué)進步方面的作用。一、概述高分辨顯微CT檢測技術(shù)是一種基于X射線的高精度三維成像技術(shù)，它結(jié)合了CT掃描與顯微鏡技術(shù)的優(yōu)點，能夠在不破壞樣本的前提...
微電子器件的功能在很大程度上取決于其晶體結(jié)構(gòu)。高分辨率X射線衍射（HRXRD）是一種無損分析技術(shù)，能夠以亞納米級的精度研究晶體結(jié)構(gòu)-即使是在非環(huán)境或工作狀態(tài)下。使用實驗室X射線衍射儀通過HRXRD研究這些微米級尺寸的器件極其具有挑戰(zhàn)性，因為需要一束小于所關(guān)注結(jié)構(gòu)的X射線束。鋯鈦酸鉛（PZT）電容器在提高各種電子設(shè)備和系統(tǒng)的功能及性能方面起著至關(guān)重要的作用。由于其能夠在電能和機械能之間轉(zhuǎn)換，它們被用于需要高精度、控制和高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中。典型的例子包括微機電系統(tǒng)（MEMS）器...
1應(yīng)用背景在微電子半導(dǎo)體行業(yè)日新月異的現(xiàn)狀，材料質(zhì)量的提升與器件性能的優(yōu)化成為推動技術(shù)進步的關(guān)鍵因素。碳化硅（SiC）作為一種新興的高性能半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、高擊穿電場強度及耐高溫特性，在電力電子、新能源汽車、航天航空等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，碳化硅器件的性能優(yōu)化并非易事，其涉及到材料質(zhì)量、加工工藝、器件設(shè)計等多個層面的精細控制。在這個過程中，少數(shù)載流子壽命（少子壽命）作為評價半導(dǎo)體材料質(zhì)量的重要參數(shù)之一，其精確測量與深度分析顯得尤為重要。2儀器介紹德國弗萊...
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